交大電子莊紹勳教授團隊傑出研究榮登全球各大學最佳論文-VLSI Technology Symposium

2017-06-12 10:36:15

陳秋雲

上一篇 | 下一篇 | 列印本頁 | 回公告系統

 

        

交大電子莊紹勳教授團隊傑出研究榮登全球各大學最佳論文-VLSI Technology Symposium

 
(中央社訊息服務20170609 16:09:00)為期五天的「2017IEEE VLSI Technology and Circuits Symposium」國際會議,於6月5日起在京都舉行。交通大學講座教授莊紹勳研究群發表一篇與台灣師大、聯電共同研究的14奈米鰭式電晶體(FinFET)嵌入型電阻記憶體,風糜全場,主要是現有晶圓代工廠的嵌入式記憶體技術多停留在28nm以上的節點(如40奈米邏輯製程),蓋因28奈米及以下技術,都改用high-k/Metal-gate技術,要將傳統浮閘記憶體或SONOS記憶體與28奈米以下先進邏輯技術整合不易,因此,本文率先提出將記憶體與先進14奈米FinFET邏輯技術整合在一起,本項發明尚屬世界首屈一指。
 
會議分為二個部份,一為VLSI Technology Symposium,另一為VLSI Circuits Symposium。前者共發表72篇論文(含8篇邀請論文),後者發表115篇論文。參與人數超過千人,創有史以來新高。 此次VLSI Technology Symposium投稿160篇,被接受的論文,美國15篇,日本10篇,比利時、台灣與韓國各有8篇。台灣上榜的論文,交大及台積電各3篇,奈米國家實驗室一篇,清大一篇。最重要的是交通大學與東京大學為全球各大學發表論文數同列第一,然而由交大莊教授帶領的團隊論文,名列「全球學術界最佳論文」,與Samsung、IBM、Globalfoundries另三篇一同獲選highlight session論文。 
 
莊教授表示,台灣雖然擁有傲視全球的半導體產業,但整體論文發表數量仍不夠多。莊教授極力建議,台灣各大學院校應加強與產業界的合作,運用先進的業界製程設備講究創新,才有可能在研發質量上與世界知名大學及知名半導體公司力拼。 
 
另外一則重要新聞,莊教授引述大陸微信網的一篇報導,標題為「VLSI国际会议中国仅一篇论文入选,占比1/64」的新聞報導,其中大陸此次投稿18篇但只有一篇被接受,又說:「日本PCWatch网站报道了一些有关大会论文的数据,提交及入选的论文一定程度上可以代表这个公司及所在国在该行业的地位。.. 这次会议也暴露了我们在半导体制造技术依然没有什么存在感,虽然总计提交了18篇论文,但入选的只有1篇,仅占全部入选论文的1/64,远远低于美国、日本、欧洲、韩国、新加坡及台湾地区。」。該報導又說: 「虽然说被采纳的论文跟这个国家或者地区的半导体技术实力不能绝对挂钩,但被采纳的论文越多,总体上依然能证明这个国家/地区的实力的」。
 
莊紹勳指出,VLSI技術國際會議緣起於1980年,由美國IEEE EDS及日本最大的應用物理學會(The Japan Society of Applied Physics)聯合發起,偶數年於美國夏威夷舉行,奇數年於日本舉行。該會議被視為半導體製程、元件技術發展的指標,是VLSI領域技術發表的期艦會議(flagship conference),上榜的論文有些比權威的IEDM會議還困難。長期以來,此一國際會議一直扮演半導體VLSI高科技電子IC相關產業火車頭的角色,因此每年都吸引世界各大半導體廠的菁英前來參與盛會。 
 
該研討會今年的重點,除了先進邏輯元件製程技術外,在先進的記憶體技術論文也不遑相讓。先進邏輯元件製程技術是CPU、GPU、繪圖晶片、通訊IC、消費性電子如手機、汽車用記憶體、訊號處理IC等的核心技術,目前已到7奈米技術將進入可以量產的階段,該會議還探討了5奈米的FinFET技術,但因微影術的現制,製程技術,仍趕不上微縮(scaling)的需求。另外,物聯網(IoT)及穿戴式裝置,如何提供低功耗的設計,也成為近期的重點。 
 
此次的會議,除了更小尺寸的先進邏輯製程技術,也強化仿生運算及相關記憶體、Quantum computing等,汽車自動駕駛未來在硬體發展的需求。
 
關於交大電子 ( http://www.ee.nctu.edu.tw )
交大電子系是交大創校及全國第一個電子科系,長久以來為交大第一志願科系、國內電子電機科系亦名列前茅,已經設立超過50年,開啟了台灣高科技的教育,也奠定了台灣電子資訊產業發展的基石。五十年來交大電子在師資、課程及設備上,不僅在國內首屈一指,並與世界最著名的科系並駕齊驅,深獲各界肯定。
 
http://www.cna.com.tw/postwrite/Detail/215187.aspx#.WTpf5GiGM2w

picture 1
 
';